IRFZ44N场效应N沟道三极管
详细参数：
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FET 类型 |
N 沟道 |
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技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
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漏源电压（Vdss） |
55V |
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
49A（Tc） |
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驱动电压（好大 Rds On，好小 Rds On） |
10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（好大值） |
4V @ 250µA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（好大值） |
63nC |
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电压，耦合至栅极电荷（Qg）（好大）@ Vgs |
10V |
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Vgs（好大值） |
±20V |
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（好大值） |
1470pF |
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电压，耦合至输入电容（Ciss）（好大） @ Vds |
25V |
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功率耗散（好大值） |
94W（Tc） |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（好大值） |
17.5 毫欧 @ 25A，10V |
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工作温度 |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
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安装类型 |
通孔 |
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供应商器件封装 |
TO-220AB |
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封装/外壳 |
TO-220-3 |
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