激光直写无掩膜光刻机
美国AMP（AdvancedMicroPatterning,LLC）公司凭借多年的光刻设备生产经验和多项无掩模曝光技术，已成为无掩模紫外光刻领域的。国内参考用户较多！
激光直写无掩膜光刻机产品优点：
微米和亚微米光刻,好小0.6微米光刻精度
紫外光直写曝光,无需掩模，大幅节约了掩模加工费用
灵活性高，可直接通过电脑设计光刻图形，并可根据设计要求随意调整。
可升级开放性系统设计。
按照客户要求自由配置
使用维护简单,设备耗材价格低。
应用范围广，目前广泛应用于半导体、生物芯片、微机电系统、传感器、微化学、光学等领域。
曝光镜头
•光源:200W汞灯.
•光源寿命:>1000小时.
•涵盖了汞灯的波段，范围宽，>510nm下对准
衬底光照波长：
365nm+/-5nm
405nm+/-5nm
435nm+/-5nm
•波段曝光模式，可以在波段350–550nm范围内进行单次曝光.
•像素大小PixelSizesincludedwithsystem
1.25微米，4X物镜，(5um好小线宽)
0.25微米，20X物镜，(1um好小线宽)
•256级灰度识别
•4X物镜可以在曲面构建1mm深的结构，而不用移动镜头和样品台
•一体化的光学过滤器可以在曝光过程中保持工作.
•可以使用掩膜板和无掩膜两种工作模式.
•可以实现整个XY轴样品台移动范围内的大尺寸图形曝光.
•单一在线式相机可以观测样品并聚焦样品。.
•多像素曝光可以提供大于750000个像素处理，在一次静态曝光中.
激光直写
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