| N沟道增强型MOSFET TDM3536 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3536采用先进的沟槽技术 | RDS(ON)<6.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | RDS(ON)<4.2mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 高功率和电流处理能力 |
| 封装DFN5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围:PWM应用、负载开关、电源管理、动力系统 | 可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准) |
| 价格 | 面议 |
| 发货 | 广东深圳市付款后3天内 |
| 品牌 | TD |
| 库存 | 100000个起订3000个 |
| N沟道增强型MOSFET TDM3536 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3536采用先进的沟槽技术 | RDS(ON)<6.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | RDS(ON)<4.2mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 高功率和电流处理能力 |
| 封装DFN5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围:PWM应用、负载开关、电源管理、动力系统 | 可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准) |