上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000

KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 好大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数

型号	eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供电	DC magnetic confinement
- 电压	40-300V VDC
- 离子源直径	~ 5 cm
- 阳极结构	模块化
电源控制	eHx-30010A
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度	> 45° (hwhm)
- 阳极	标准或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移动或快接法兰
- 高度	4.0'
- 直径	5.7'
- 加工材料	金属 电介质 半导体
- 工艺气体	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离	16-45”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
•  离子辅助镀膜 IAD
•  预清洗 Load lock preclean
•  预清洗 In-situ preclean
•  Direct De机ition
•  Surface Modification
•  Low-energy etching
•  III-V Semiconductors
•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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