| N沟道增强型MOSFET TDM3458 | |
| 描述 | 一般特征 |
| TDM3458采用先进的沟槽技术 | RDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个 | RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS = 10V |
| 器件适合用作负载开关或PWM | 高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | 提供无铅产品 |
| 封装DNF5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围：PWM应用、负载开关、电源管理 |
|
|||||||||||||||||||||||||||
| N沟道增强型MOSFET TDM3458 | |
| 描述 | 一般特征 |
| TDM3458采用先进的沟槽技术 | RDS（ON）<8.7mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个 | RDS（ON）<5.5mΩ@ VGS = 10V |
| 器件适合用作负载开关或PWM | 高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | 提供无铅产品 |
| 封装DNF5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围：PWM应用、负载开关、电源管理 |
