| N通道增强型MOSFET TDM3482 |
| 描述 |
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM |
| 应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<13.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<9.5mΩ@ VGS =10V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l获得无铅产品 |
| l表面贴装封装 |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
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| N通道增强型MOSFET TDM3482 |
| 描述 |
| 该TDM3482采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM |
| 应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<13.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<9.5mΩ@ VGS =10V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l获得无铅产品 |
| l表面贴装封装 |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
