| 泰德MOS管增强型MOSFET TDM3532 N通道 | 
| 描述 | 
| 该TDM3532采用先进的沟槽技术 | 
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | 
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | 
| 应用。 | 
| 一般特征 | 
| lRDS(ON)<3mΩ@ VGS = 4.5V | 
| RDS(ON)<1.9mΩ@ VGS =10V | 
| l高功率和电流处理能力 | 
| l可提供无铅产品 | 
| l表面贴装封装 | 
| 应用 | 
| lPWM应用 | 
| l负载开关 | 
| l电源管理 | 
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| 泰德MOS管增强型MOSFET TDM3532 N通道 | 
| 描述 | 
| 该TDM3532采用先进的沟槽技术 | 
| 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 | 
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | 
| 应用。 | 
| 一般特征 | 
| lRDS(ON)<3mΩ@ VGS = 4.5V | 
| RDS(ON)<1.9mΩ@ VGS =10V | 
| l高功率和电流处理能力 | 
| l可提供无铅产品 | 
| l表面贴装封装 | 
| 应用 | 
| lPWM应用 | 
| l负载开关 | 
| l电源管理 |