| N沟道增强型MOSFET TDM3536 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3536采用先进的沟槽技术 | RDS（ON）<6.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | RDS（ON）<4.2mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 高功率和电流处理能力 |
| 封装DFN5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围：PWM应用、负载开关、电源管理、动力系统 | 可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准） |
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| N沟道增强型MOSFET TDM3536 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3536采用先进的沟槽技术 | RDS（ON）<6.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | RDS（ON）<4.2mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 高功率和电流处理能力 |
| 封装DFN5*6-8 | 表面贴装封装 |
| 应用范围：PWM应用、负载开关、电源管理、动力系统 | 可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准） |
