| N沟道增强型MOSFET TDM31056 |
| 描述 |
| 该TDM31056采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<13.5mΩ@ VGS =10V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l可提供无铅产品 |
| lDFN5X6-8封装 |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
| l硬开关和高频电路 |
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| N沟道增强型MOSFET TDM31056 |
| 描述 |
| 该TDM31056采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 |
| 一般特征 |
| lRDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<13.5mΩ@ VGS =10V |
| l高功率和电流处理能力 |
| l可提供无铅产品 |
| lDFN5X6-8封装 |
| 应用 |
| lPWM应用 |
| l负载开关 |
| l电源管理 |
| l硬开关和高频电路 |
