氧化镁陶瓷的制备及应用

 
 
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更新 2025-08-29 16:46
 
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鲍春发

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详细说明

随着我国现代化工业的发展,特别是冶金行业新产品的开发和应用,该领域的陶瓷产品需要满足特殊场所的需要。尽管有许多高温氧化陶瓷产品,但它们用于精炼铝、重量金属和高纯度放射性金属(如、锆),其他高温氧化陶瓷也不能替代氧化镁陶瓷。

1 氧化镁的性质

氧化镁CY-Mg50为白色立方品体或极细粉末,露置空气中可以水化和吸收二氧化碳,密度为3.58g/(E)左右,熔点2800℃左右,沸点3600℃。其坩埚制品抗熔融金属的还原作用特别强。在潮湿的空气中,氧化镁陶瓷制品极易水化生成氢氧化镁。

氧化镁CY-Mg50合成料的好佳煅烧温度随母盐(氯化镁、硝酸镁等)种类不同而有所差异,进而,随着构成母盐的原料种类不同,烧结性能也会发生相当大的变化。细颗粒数量越多,而且粒度分布适当的氧化镁CY-Mg50,其烧结性能好好。

母盐的分解煅烧温度和保温时间都有一个好佳值,如果温度过低,无论保温时间多长,则生成的氧化镁CY-Mg50颗粒很小,或者剩下大量的母盐假象而使成形体的填充性不良。如烧结进行的太快,则会形成结合牢固的二次颗粒,结果阻碍烧结。反之,如果温度过高或保温时间过长,则会使生成的氧化镁CY-Mg50结晶性过大。有时不能保持生成时的亚稳状态,所以活性度低如果颗粒成长过大,也会使烧结不佳。

为了制取烧结性能良好的氧化镁CY-Mg50,好好选择能生成均匀粉末的热分解氢氧化镁得到的氧化镁CY-Mg50,并选定煅烧温度为1600℃和保温时间为4~6h。之所以选定氢氧化镁分解而得的氧化镁CY-Mg50是因为它具有分解后不剩下明显的母盐假象,也不形成牢固的集块,而且生成的氧化镁CY-Mg50颗粒本身是体积密度大的颗粒,且有一定的尺寸;还具有良好的填充性和适当的粒度分布。氧化镁CY-Mg50颗粒活性高,对于烧结有充分的驱动力,比表面积大,结晶性不太高。

任何一种氧化物陶瓷都要或多或少的加入一种或数种促进烧结或抑制二次结品的添加剂,在加入添加剂后,成形体内生成液相、熔融相或其他结品相,从而促进烧结,抑制结品的二次生长。

氧化镁CY-Mg50合成料研磨过程中对物料的理化性能的影响是多方面的,如研方法、研磨介质研磨时间等。在研磨过程中人们总会发现,研磨一定的时间后研细度会趋向一个终值在研磨过程中,单个颗粒断裂、颗粒表面层的结构发生变化,经过长时间机械研作用,使全体颗粒达到全部趋于一致(结构、细度等)改变了物料的表面活性。但是,颗粒过分的微粉碎,对烧结体的致密化有不良的影响。

在所有的机械研磨方法中,各种研磨方法均有自己的特点,综合各项技术指标较好的方法有:高速磨研磨方法、振动磨法、搅拌球磨法、气流粉碎法。从设备方面考虑本试验采用的为快速研磨法。研磨介质密度小,球时间过长,研体损较大,将影响物料的理化性能。球磨时间过短,物料达不到要求的细度,也会影响物料的理化性能。研介质密度大,物料所需的研磨时间会缩短,从而研磨体磨损小。采用的研磨介质为纯氧化铝或氧化锆球。

氧化镁坩埚制品受烧成制度的影响较大,烧成好好的条件为:氧化气、弱还原气氛、烧成温度为1750℃,保温时间为1~2h。在上述条件下还要注意制品的加热速度,通过试验可知:加热速度慢时,坯体内外温度差小,产品烧结良好、体积密度大:加热速度若超过200/h 以上时,坯体内外温度差较大,产品烧结性能较差,亦产生开裂。

5结论

介绍了氧化镁坩埚的生产工艺过程,以及添加剂对其烧成的影响,结合自己的工作实践进行了有关技术问题的探讨,并得出如下结论:

1)预合成氧化镁CY-Mg50原料的配比为:氧化镁CY-Mg50100%,外加氧化铝0.35%,氧化钙2.5%,氧化镓1.15%

2)添加剂为复合添加剂

3)严格控制各工艺过程及参数,坩埚烧成温度为1750℃,保温时间为1~2h;氧化镁CY-Mg50合成温度 1600℃,保温时间为4h

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