原子层沉积设备的产品系列和技术特点

原子层沉积设备的产品系列和技术特点

原子层沉积设备，Nexalayer™-8''原子层沉积系统主要特点/MAINFEATURE  

可与超高真空（UHV）系统（如XPS,STM）直接互联，实现样品原位分析与制备  

好多支持八种前驱体源、两路氧化/还原气路及三路载气，满足多样化、复杂的薄膜生长需求  

自动控温结合模糊算法自整定技术，控温精度达±1°C，确保工艺重复性与薄膜质量  

自动化控制系统支持用户自行编程，轻松实现各类复杂ALD生长工艺  

集成安全互锁报警功能，全面保障设备与操作人员安全  

产品系列  

提供多个系列的ALD系统，以满足从基础科研到特定应用的不同需求：  

Atolyze™系列：包括Atolyze™-MEDI和Atolyze™-MINI等型号。  

Nexalayer™系列：包括Nexalayer™-8''、Nexalayer™-6''和Nexalayer™-4''等型号。  

ALDO-V401-PRO：这是一个常见的成熟型号，已被中国科学技术大学等科研机构采购使用。  

原子层沉积设备核心技术与特点  

ALD设备具备以下核心技术特点：  

原子级精度控制：通过精确控制反应循环次数，可实现埃米级（0.1nm）的薄膜厚度控制。  

优异的保形性：在复杂三维结构和粉体表*备出色的保形沉积能力。  

灵活性与兼容性：  

支持4英寸晶圆及微纳粉体等多种样品。  

可与超高真空（UHV）系统（如XPS、STM）直接互联，实现样品的原位分析与制备。  

强大的气路系统：复杂的气路设计，好多可支持八种前驱体、两路氧化/还原气路和三路载气。  

精密温控与自动化：  

腔体好高加热至400℃，控温精度高达±1℃。  

采用LabVIEW图形化软件进行自动化控制，用户可自行编程实现复杂的ALD生长工艺，并集成安全互锁报警功能。  

模块化设计：提供多种可选模块，如残余气体分析模块、等离子体模块、QCM原位监测模块等，以扩展设备功能。  

特色设备与技术  

等离子体增强原子层沉积（PEALD）系统：融合13.56MHz射频等离子体活化技术，适用于对温度敏感或需要特定材料性能的薄膜制备。  

粉体原子层沉积设备：公司在该领域积极布局，已申请“粉体包覆反应设备及方法”和“高通量连续型粉体原子层沉积设备”等专利，旨在提高粉体表面包覆的效率和连续性。  

应用领域  

ALD系统主要面向科研与前沿应用，广泛应用于：  

微纳电子与半导体领域。  

催化与新能源材料研究，例如用于燃料电池催化剂的制备。  

材料改性与MEMS微纳器件制造。  

原子层沉积设备

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